DMN10H220L-13
DMN10H220L-13
Osa numero:
DMN10H220L-13
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14445 Pieces
Tietolomake:
DMN10H220L-13.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DMN10H220L-13, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMN10H220L-13 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DMN10H220L-13 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-23
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:220 mOhm @ 1.6A, 10V
Tehonkulutus (Max):1.3W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:DMN10H220L-13DITR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:DMN10H220L-13
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:401pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:8.3nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 1.4A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-23
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:1.4A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit