Ostaa DMN1150UFB-7B BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±6V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 150 mOhm @ 1A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 500mW (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 3-UFDFN |
Muut nimet: | DMN1150UFB-7BDITR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
Valmistajan osanumero: | DMN1150UFB-7B |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 106pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.5nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 12V 1.41A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 12V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 1.41A (Ta) |
Email: | [email protected] |