DMN1260UFA-7B
DMN1260UFA-7B
Osa numero:
DMN1260UFA-7B
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14415 Pieces
Tietolomake:
DMN1260UFA-7B.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DMN1260UFA-7B, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMN1260UFA-7B sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DMN1260UFA-7B BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:X2-DFN0806-3
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:366 mOhm @ 200mA, 4.5V
Tehonkulutus (Max):360mW (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:3-XFDFN
Muut nimet:DMN1260UFA-7BDITR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:DMN1260UFA-7B
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:60pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.96nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 12V 500mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0806-3
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Valua lähde jännite (Vdss):12V
Kuvaus:MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:500mA (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit