DMN13H750S-13
DMN13H750S-13
Osa numero:
DMN13H750S-13
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15661 Pieces
Tietolomake:
DMN13H750S-13.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DMN13H750S-13, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMN13H750S-13 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DMN13H750S-13 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-23
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:750 mOhm @ 2A, 10V
Tehonkulutus (Max):770mW (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:DMN13H750S-13DI
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:DMN13H750S-13
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:231pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:5.6nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 130V 1A (Ta) 770mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Valua lähde jännite (Vdss):130V
Kuvaus:MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit