DMN2104L-7
DMN2104L-7
Osa numero:
DMN2104L-7
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15812 Pieces
Tietolomake:
DMN2104L-7.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DMN2104L-7, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMN2104L-7 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DMN2104L-7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-23-3
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:53 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):1.4W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:DMN2104L7
DMN2104LDITR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:DMN2104L-7
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:325pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:-
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 20V 4.3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4.3A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit