Ostaa DMN2215UDM-7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
DMN2215UDM-7
- Osa numero:
- DMN2215UDM-7
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17358 Pieces
- Tietolomake:
- DMN2215UDM-7.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä DMN2215UDM-7, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMN2215UDM-7 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | SOT-26 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 100 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Virta - Max: | 650mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | SOT-23-6 |
| Muut nimet: | DMN2215UDM7 DMN2215UDMDITR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | DMN2215UDM-7 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 188pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2A 650mW Surface Mount SOT-26 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
| Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 2A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat DMN2215UDM-7
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
PMGD175XNEX | Nexperia USA Inc. | MOSFET ARRAY 2NCH 30V 6-TSSOP | tiedustelu |
 |
IRF7379QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | tiedustelu |
 |
DMN2230UQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 | tiedustelu |
|
IRF7309QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC | tiedustelu |
 |
DMN2230UQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 20V 2A SOT23 | tiedustelu |
 |
APTM50TDUM65PG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P | tiedustelu |
 |
NTHD2102PT1 | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET | tiedustelu |
 |
SH8M3TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8 | tiedustelu |
 |
SI9936BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC | tiedustelu |
|
DMN2230U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3 | tiedustelu |
|
SI9933CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
DMN2250UFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN | tiedustelu |
 |
TC6321T-V/9U | Microchip Technology | MOSFET ARRAY N/P-CH 200V 8VDFN | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog