DMN2400UFD-7
DMN2400UFD-7
Osa numero:
DMN2400UFD-7
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12757 Pieces
Tietolomake:
DMN2400UFD-7.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DMN2400UFD-7, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMN2400UFD-7 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DMN2400UFD-7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:X1-DFN1212-3
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:600 mOhm @ 200mA, 4.5V
Tehonkulutus (Max):400mW (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:3-UDFN
Muut nimet:DMN2400UFD-7DITR
DMN2400UFD7
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:DMN2400UFD-7
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:37pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:500nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 20V 900mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:900mA (Ta)
Email:sales@bychips.com

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit
Loading...