DMN4800LSS-13
DMN4800LSS-13
Osa numero:
DMN4800LSS-13
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19912 Pieces
Tietolomake:
DMN4800LSS-13.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DMN4800LSS-13, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMN4800LSS-13 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DMN4800LSS-13 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.6V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-SOP
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:16 mOhm @ 9A, 10V
Tehonkulutus (Max):1.46W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:DMN4800LSS13
DMN4800LSSDITR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:DMN4800LSS-13
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:798pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:9.47nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 9A (Ta) 1.46W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit