Ostaa DMN6075S-7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | SOT-23 |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 85 mOhm @ 3.2A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 800mW (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Muut nimet: | DMN6075S-7DITR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
Valmistajan osanumero: | DMN6075S-7 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 606pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12.3nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SOT-23 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 2A (Ta) |
Email: | [email protected] |