Ostaa DMP1100UCB4-7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 800mV @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±8V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | X2-WLB0808-4 |
Sarja: | Automotive, AEC-Q101 |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 83 mOhm @ 3A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 670mW (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 4-UFBGA, WLBGA |
Muut nimet: | DMP1100UCB4-7DITR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
Valmistajan osanumero: | DMP1100UCB4-7 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 820pF @ 6V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 12V 2.5A (Ta) 670mW (Ta) Surface Mount X2-WLB0808-4 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 1.3V, 4.5V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 12V |
Kuvaus: | MOSFET P-CHA 12V 2.5A WLB0808 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 2.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |