DMP2007UFG-7
DMP2007UFG-7
Osa numero:
DMP2007UFG-7
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14770 Pieces
Tietolomake:
DMP2007UFG-7.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DMP2007UFG-7, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMP2007UFG-7 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DMP2007UFG-7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.3V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PowerDI3333-8
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:5.5 mOhm @ 15A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.3W (Ta)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:8-PowerWDFN
Muut nimet:DMP2007UFG-7DIDKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:DMP2007UFG-7
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:4621pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:85nC @ 10V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 20V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:18A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit