Ostaa DMT10H010LK3-13 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
DMT10H010LK3-13
- Osa numero:
- DMT10H010LK3-13
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3
- Saatavana oleva määrä:
- 16838 Pieces
- Tietolomake:
- DMT10H010LK3-13.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä DMT10H010LK3-13, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMT10H010LK3-13 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-252, (D-Pak) |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 8.8 mOhm @ 13A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 3W (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Muut nimet: | DMT10H010LK3-13DITR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | DMT10H010LK3-13 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2592pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 53.7nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 68.8A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 68.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat DMT10H010LK3-13
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
DMT10H015LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 8.3A | tiedustelu |
 |
DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TO220AB | tiedustelu |
|
DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | tiedustelu |
 |
DMT10H015LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 7.3A | tiedustelu |
|
DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO | tiedustelu |
|
DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SO-8 | tiedustelu |
|
DMT10H015LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V TO252 T&R | tiedustelu |
 |
DMT10H015LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A | tiedustelu |
|
DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A | tiedustelu |
|
DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | tiedustelu |
|
DMT10H015LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog