DMT6009LSS-13
DMT6009LSS-13
Osa numero:
DMT6009LSS-13
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17900 Pieces
Tietolomake:
DMT6009LSS-13.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DMT6009LSS-13, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMT6009LSS-13 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DMT6009LSS-13 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-SO
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:9.5 mOhm @ 13.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):1.25W (Ta)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:DMT6009LSS-13DIDKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:DMT6009LSS-13
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1925pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:33.5nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 10.8A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-SO
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:10.8A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit