DMT6017LSS-13
DMT6017LSS-13
Osa numero:
DMT6017LSS-13
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15906 Pieces
Tietolomake:
DMT6017LSS-13.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DMT6017LSS-13, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMT6017LSS-13 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DMT6017LSS-13 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-SO
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:18 mOhm @ 10A, 10V
Tehonkulutus (Max):1.5W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:DMT6017LSS-13DITR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:DMT6017LSS-13
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:864pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 9.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:9.2A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit