Ostaa DMTH10H015LK3-13 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
DMTH10H015LK3-13
- Osa numero:
- DMTH10H015LK3-13
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET NCH 100V 52.5A TO252
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15942 Pieces
- Tietolomake:
- DMTH10H015LK3-13.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä DMTH10H015LK3-13, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMTH10H015LK3-13 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-252-4L |
| Sarja: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 15 mOhm @ 20A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 2.1W (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | DMTH10H015LK3-13 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1871pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 33.3nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 52.5A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount TO-252-4L |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Kuvaus: | MOSFET NCH 100V 52.5A TO252 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 52.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat DMTH10H015LK3-13
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
DMTH10H030LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 28A TO252 | tiedustelu |
 |
DMTH10H015LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI | tiedustelu |
|
DMTH10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET 100V 108A TO220AB | tiedustelu |
 |
IRLIZ34GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP | tiedustelu |
|
DMTH10H010LCTB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V TO263 T&R | tiedustelu |
 |
DMP21D0UFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 0.77A DFN1006-3 | tiedustelu |
 |
IRF6638TR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET | tiedustelu |
 |
AON6516 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 27A 8DFN | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog