Ostaa DMTH6010LK3-13 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
DMTH6010LK3-13
- Osa numero:
- DMTH6010LK3-13
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15853 Pieces
- Tietolomake:
- DMTH6010LK3-13.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä DMTH6010LK3-13, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMTH6010LK3-13 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-252, (D-Pak) |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 8 mOhm @ 20A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 3.1W (Ta) |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Muut nimet: | DMTH6010LK3-13DIDKR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | DMTH6010LK3-13 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2090pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 41.3nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 14.8A (Ta), 70A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 14.8A (Ta), 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat DMTH6010LK3-13
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
DMTH6010LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252 | tiedustelu |
 |
DMTH6010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 13.5A | tiedustelu |
 |
DMTH6010SCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU | tiedustelu |
 |
DMTH6016LSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET ARRAY N-CH 60V 7.6A 8SOIC | tiedustelu |
|
DMTH6010SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 16.3A TO252 | tiedustelu |
|
DMTH6010LPD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI | tiedustelu |
|
DMTH6010LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506 | tiedustelu |
|
DMTH6016LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI | tiedustelu |
|
DMTH6010SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 16.3A | tiedustelu |
|
DMTH6016LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI | tiedustelu |
|
DMTH6010LPDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog