DRA3114E0L
DRA3114E0L
Osa numero:
DRA3114E0L
Valmistaja:
Panasonic
Kuvaus:
TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18370 Pieces
Tietolomake:
DRA3114E0L.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DRA3114E0L, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DRA3114E0L sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DRA3114E0L BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 500µA, 10mA
transistori tyyppi:PNP - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:SSSMini3-F2-B
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):10k
Vastus - Base (R1) (ohmia):10k
Virta - Max:100mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-723
Muut nimet:DRA3114E0L-ND
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:DRA3114E0L
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 100mW Surface Mount SSSMini3-F2-B
Kuvaus:TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:35 @ 5mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit