DRA9A14Y0L
DRA9A14Y0L
Osa numero:
DRA9A14Y0L
Valmistaja:
Panasonic
Kuvaus:
TRANS PREBIAS PNP 0.125W SSMINI3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17341 Pieces
Tietolomake:
DRA9A14Y0L.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DRA9A14Y0L, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DRA9A14Y0L sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DRA9A14Y0L BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 500µA, 10mA
transistori tyyppi:PNP - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:SSMini3-F3-B
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):47k
Vastus - Base (R1) (ohmia):10k
Virta - Max:125mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SC-89, SOT-490
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:11 Weeks
Valmistajan osanumero:DRA9A14Y0L
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 125mW Surface Mount SSMini3-F3-B
Kuvaus:TRANS PREBIAS PNP 0.125W SSMINI3
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):80mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit