DRDNB16W-7
DRDNB16W-7
Osa numero:
DRDNB16W-7
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13724 Pieces
Tietolomake:
DRDNB16W-7.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DRDNB16W-7, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DRDNB16W-7 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DRDNB16W-7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
transistori tyyppi:NPN - Pre-Biased + Diode
Toimittaja Device Package:SOT-363
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):10k
Vastus - Base (R1) (ohmia):1k
Virta - Max:200mW
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Muut nimet:DRDNB16WDIDKR
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:DRDNB16W-7
Taajuus - Siirtyminen:200MHz
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363
Kuvaus:TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:56 @ 50mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):600mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit