Ostaa DRDPB26W-7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
DRDPB26W-7
- Osa numero:
- DRDPB26W-7
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT363
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16722 Pieces
- Tietolomake:
- DRDPB26W-7.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä DRDPB26W-7, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DRDPB26W-7 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| transistori tyyppi: | PNP - Pre-Biased + Diode |
| Toimittaja Device Package: | SOT-363 |
| Sarja: | - |
| Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia): | 4.7k |
| Vastus - Base (R1) (ohmia): | 220 |
| Virta - Max: | 200mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Muut nimet: | DRDPB26WDITR |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | DRDPB26W-7 |
| Taajuus - Siirtyminen: | 200MHz |
| Laajennettu kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 50V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363 |
| Kuvaus: | TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT363 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 47 @ 50mA, 5V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 600mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat DRDPB26W-7
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
UNR511000L | Panasonic Electronic Components | TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 | tiedustelu |
 |
FJN3303RTA | Fairchild/ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 | tiedustelu |
 |
DTC143TCAT116 | Rohm Semiconductor | NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR | tiedustelu |
 |
DRDPB16W-7 | Diodes Incorporated | TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT363 | tiedustelu |
 |
BCR 153L3 E6327 | Infineon Technologies | TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 | tiedustelu |
|
DDTD133HC-7-F | Diodes Incorporated | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | tiedustelu |
 |
PDTA143ZS,126 | NXP USA Inc. | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 | tiedustelu |
 |
BCR198E6393HTSA1 | Infineon Technologies | TRANS PREBIAS PNP SOT23 | tiedustelu |
 |
NSVMMUN2132LT1G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog