Ostaa DSEI12-06A BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
DSEI12-06A
- Osa numero:
- DSEI12-06A
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- DIODE GEN PURP 600V 14A TO220AC
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17193 Pieces
- Tietolomake:
- DSEI12-06A.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä DSEI12-06A, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DSEI12-06A sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.7V @ 16A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 600V |
| Toimittaja Device Package: | TO-220AC |
| Nopeus: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sarja: | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 50ns |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-220-2 |
| Muut nimet: | DSEI1206A |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -40°C ~ 150°C |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | DSEI12-06A |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Standard 600V 14A Through Hole TO-220AC |
| diodi Tyyppi: | Standard |
| Kuvaus: | DIODE GEN PURP 600V 14A TO220AC |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 50µA @ 600V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 14A |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat DSEI12-06A
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
DSEI120-12A | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247AD | tiedustelu |
 |
DSEI19-06AS-TUB | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AA | tiedustelu |
 |
DSEI12-10A | IXYS | DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220AC | tiedustelu |
|
DSEI120-06A | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 77A TO247AD | tiedustelu |
 |
6A10-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 1KV 6A R6 | tiedustelu |
 |
AM01AWK | Sanken | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | tiedustelu |
 |
BYV98-50-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 50V 4A SOD64 | tiedustelu |
 |
SBRT05U10LP-7B | Diodes Incorporated | DIODE SBR X1-DFN1006-2 | tiedustelu |
 |
LLSD103B-7 | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 30V 350MA MINMELF | tiedustelu |
 |
DSI75-12B | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 110A DO203 | tiedustelu |
|
DSEI19-06AS | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AA | tiedustelu |
 |
SS8PH10-E3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A | tiedustelu |
 |
1N3264 | Powerex Inc. | DIODE GEN PURP 250V 160A DO205AB | tiedustelu |
|
DSEI12-12A | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 11A TO220AC | tiedustelu |
 |
BAT46WJF | Nexperia USA Inc. | DIODE SCHOTTKY 100V 250MA SOD323 | tiedustelu |
 |
VS-12FLR40S02 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers