DTA114GKAT146
DTA114GKAT146
Osa numero:
DTA114GKAT146
Valmistaja:
LAPIS Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13128 Pieces
Tietolomake:
DTA114GKAT146.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DTA114GKAT146, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DTA114GKAT146 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DTA114GKAT146 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
transistori tyyppi:PNP - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:SMT3
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):-
Vastus - Base (R1) (ohmia):10k
Virta - Max:200mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:DTA114GKAT146-ND
DTA114GKAT146TR
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:DTA114GKAT146
Taajuus - Siirtyminen:250MHz
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3
Kuvaus:TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 5mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit