DTA123EET1G
DTA123EET1G
Osa numero:
DTA123EET1G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17986 Pieces
Tietolomake:
DTA123EET1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DTA123EET1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DTA123EET1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DTA123EET1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 5mA, 10mA
transistori tyyppi:PNP - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:SC-75, SOT-416
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):2.2k
Vastus - Base (R1) (ohmia):2.2k
Virta - Max:200mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SC-75, SOT-416
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:DTA123EET1G
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416
Kuvaus:TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:8 @ 5mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit