DTA123JUAT106
DTA123JUAT106
Osa numero:
DTA123JUAT106
Valmistaja:
LAPIS Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17155 Pieces
Tietolomake:
DTA123JUAT106.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DTA123JUAT106, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DTA123JUAT106 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DTA123JUAT106 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
transistori tyyppi:PNP - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:UMT3
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):47k
Vastus - Base (R1) (ohmia):2.2k
Virta - Max:200mW
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:SC-70, SOT-323
Muut nimet:DTA123JUAT106DKR
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:DTA123JUAT106
Taajuus - Siirtyminen:250MHz
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
Kuvaus:TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit