DTC114TEBTL
DTC114TEBTL
Osa numero:
DTC114TEBTL
Valmistaja:
LAPIS Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18248 Pieces
Tietolomake:
DTC114TEBTL.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DTC114TEBTL, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DTC114TEBTL sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DTC114TEBTL BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
transistori tyyppi:NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:EMT3F (SOT-416FL)
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):-
Vastus - Base (R1) (ohmia):10k
Virta - Max:150mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SC-89, SOT-490
Muut nimet:DTC114TEBTL-ND
DTC114TEBTLTR
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:DTC114TEBTL
Taajuus - Siirtyminen:250MHz
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
Kuvaus:TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit