DTC114YM3T5G
DTC114YM3T5G
Osa numero:
DTC114YM3T5G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14200 Pieces
Tietolomake:
DTC114YM3T5G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DTC114YM3T5G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DTC114YM3T5G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DTC114YM3T5G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
transistori tyyppi:NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:SOT-723
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):47k
Vastus - Base (R1) (ohmia):10k
Virta - Max:260mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-723
Muut nimet:DTC114YM3T5G-ND
DTC114YM3T5GOSTR
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:5 Weeks
Valmistajan osanumero:DTC114YM3T5G
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 260mW Surface Mount SOT-723
Kuvaus:TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit