EMB9T2R
EMB9T2R
Osa numero:
EMB9T2R
Valmistaja:
LAPIS Semiconductor
Kuvaus:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12305 Pieces
Tietolomake:
EMB9T2R.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä EMB9T2R, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma EMB9T2R sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa EMB9T2R BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
transistori tyyppi:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Toimittaja Device Package:EMT6
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):47k
Vastus - Base (R1) (ohmia):10k
Virta - Max:150mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-563, SOT-666
Muut nimet:EMB9T2R-ND
EMB9T2RTR
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:EMB9T2R
Taajuus - Siirtyminen:250MHz
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Kuvaus:TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:68 @ 5mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit