Ostaa FCH104N60F_F085 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
FCH104N60F_F085
- Osa numero:
- FCH104N60F_F085
- Valmistaja:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 600V 37A TO247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15507 Pieces
- Tietolomake:
- FCH104N60F_F085.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä FCH104N60F_F085, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FCH104N60F_F085 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247 |
| Sarja: | Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 104 mOhm @ 18.5A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 357W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 37 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | FCH104N60F_F085 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4302pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 139nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 37A TO247 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 37A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat FCH104N60F_F085
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFZ34NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 29A TO-220AB | tiedustelu |
 |
FCH104N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 37A TO247 | tiedustelu |
 |
IRF720S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK | tiedustelu |
|
FCH104N60F | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 37A TO-247 | tiedustelu |
|
IRFS4321PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK | tiedustelu |
 |
RDN120N25FU6 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN | tiedustelu |
 |
TK40A10N1,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 | tiedustelu |
 |
JAN2N6756 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH TO-204AE TO-3 | tiedustelu |
 |
ZVNL120GTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.32A SOT223 | tiedustelu |
 |
FCH070N60E | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 52A | tiedustelu |
 |
SI7446BDP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 | tiedustelu |
 |
PMV50ENEAR | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V TO-236AB | tiedustelu |
 |
AOTF10T60_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V TO-220F | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog