FCH190N65F_F085
FCH190N65F_F085
Osa numero:
FCH190N65F_F085
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14421 Pieces
Tietolomake:
FCH190N65F_F085.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FCH190N65F_F085, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FCH190N65F_F085 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FCH190N65F_F085 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-247
Sarja:Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
RDS (Max) @ Id, Vgs:190 mOhm @ 27A, 10V
Tehonkulutus (Max):208W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:37 Weeks
Valmistajan osanumero:FCH190N65F_F085
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:3181pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:82nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 650V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):650V
Kuvaus:MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:20.6A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit