Ostaa FDA69N25 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-3PN |
Sarja: | UniFET™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 41 mOhm @ 34.5A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 480W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-3P-3, SC-65-3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 6 Weeks |
Valmistajan osanumero: | FDA69N25 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4640pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 100nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 250V 69A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3PN |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 250V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 69A (Tc) |
Email: | [email protected] |