Ostaa FDB0165N807L BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | D²PAK (TO-263) |
Sarja: | PowerTrench® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.6 mOhm @ 36A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 3.8W (Ta), 300W (Tc) |
Pakkaus: | Original-Reel® |
Pakkaus / Case: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Muut nimet: | FDB0165N807LDKR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
Valmistajan osanumero: | FDB0165N807L |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 23660pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 304nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 80V 310A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 80V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 80V 310A TO263 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 310A (Tc) |
Email: | [email protected] |