FDB031N08
FDB031N08
Osa numero:
FDB031N08
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19094 Pieces
Tietolomake:
FDB031N08.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FDB031N08, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FDB031N08 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FDB031N08 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D²PAK (TO-263AB)
Sarja:PowerTrench®
RDS (Max) @ Id, Vgs:3.1 mOhm @ 75A, 10V
Tehonkulutus (Max):375W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:FDB031N08TR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:6 Weeks
Valmistajan osanumero:FDB031N08
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:15160pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:220nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 75V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):75V
Kuvaus:MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit