FDB3502
FDB3502
Osa numero:
FDB3502
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17851 Pieces
Tietolomake:
FDB3502.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FDB3502, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FDB3502 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FDB3502 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D²PAK (TO-263AB)
Sarja:PowerTrench®
RDS (Max) @ Id, Vgs:47 mOhm @ 6A, 10V
Tehonkulutus (Max):3.1W (Ta), 41W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:FDB3502TR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:FDB3502
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:815pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 75V 6A (Ta), 14A (Tc) 3.1W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):75V
Kuvaus:MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:6A (Ta), 14A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit