FDB3672
FDB3672
Osa numero:
FDB3672
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13307 Pieces
Tietolomake:
FDB3672.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FDB3672, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FDB3672 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FDB3672 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D²PAK (TO-263AB)
Sarja:PowerTrench®
RDS (Max) @ Id, Vgs:28 mOhm @ 44A, 10V
Tehonkulutus (Max):120W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:FDB3672
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1710pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:31nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 7.2A (Ta), 44A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:7.2A (Ta), 44A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit