FDB5800_F085
FDB5800_F085
Osa numero:
FDB5800_F085
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19241 Pieces
Tietolomake:
FDB5800_F085.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FDB5800_F085, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FDB5800_F085 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FDB5800_F085 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D²PAK (TO-263AB)
Sarja:PowerTrench®
RDS (Max) @ Id, Vgs:6 mOhm @ 80A, 10V
Tehonkulutus (Max):242W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:FDB5800_F085
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:6625pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:135nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 14A (Ta), 80A (Tc) 242W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:14A (Ta), 80A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit