FDB9403_F085
FDB9403_F085
Osa numero:
FDB9403_F085
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17786 Pieces
Tietolomake:
FDB9403_F085.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FDB9403_F085, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FDB9403_F085 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FDB9403_F085 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D²PAK (TO-263AB)
Sarja:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @ Id, Vgs:1.2 mOhm @ 80A, 10V
Tehonkulutus (Max):333W (Tj)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:FDB9403_F085DKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:6 Weeks
Valmistajan osanumero:FDB9403_F085
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:12700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:213nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 40V 110A (Tc) 333W (Tj) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):40V
Kuvaus:MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:110A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit