FDD86102
FDD86102
Osa numero:
FDD86102
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14103 Pieces
Tietolomake:
FDD86102.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FDD86102, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FDD86102 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FDD86102 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-252, (D-Pak)
Sarja:PowerTrench®
RDS (Max) @ Id, Vgs:24 mOhm @ 8A, 10V
Tehonkulutus (Max):3.1W (Ta), 62W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:FDD86102TR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:FDD86102
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1035pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 8A (Ta), 36A (Tc) 3.1W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:8A (Ta), 36A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit