FDD8882
FDD8882
Osa numero:
FDD8882
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 55A D-PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18559 Pieces
Tietolomake:
FDD8882.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FDD8882, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FDD8882 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FDD8882 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-252AA
Sarja:PowerTrench®
RDS (Max) @ Id, Vgs:11.5 mOhm @ 35A, 10V
Tehonkulutus (Max):55W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:FDD8882-ND
FDD8882TR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:FDD8882
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1260pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:33nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 12.6A (Ta), 55A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 55A D-PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:12.6A (Ta), 55A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit