FDD8N50NZTM
FDD8N50NZTM
Osa numero:
FDD8N50NZTM
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19504 Pieces
Tietolomake:
FDD8N50NZTM.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FDD8N50NZTM, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FDD8N50NZTM sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FDD8N50NZTM BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:DPAK
Sarja:UniFET-II™
RDS (Max) @ Id, Vgs:850 mOhm @ 3.25A, 10V
Tehonkulutus (Max):90W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:FDD8N50NZTM-ND
FDD8N50NZTMTR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:6 Weeks
Valmistajan osanumero:FDD8N50NZTM
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:735pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 500V 6.5A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount DPAK
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):500V
Kuvaus:MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:6.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit