Ostaa FDFS2P103 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
FDFS2P103
- Osa numero:
- FDFS2P103
- Valmistaja:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18223 Pieces
- Tietolomake:
- FDFS2P103.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä FDFS2P103, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FDFS2P103 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | 8-SOIC |
| Sarja: | PowerTrench® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 59 mOhm @ 5.3A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 900mW (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Muut nimet: | FDFS2P103_NL FDFS2P103_NLTR FDFS2P103_NLTR-ND FDFS2P103TR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | FDFS2P103 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 528pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 8nC @ 5V |
| FET tyyppi: | P-Channel |
| FET Ominaisuus: | Schottky Diode (Isolated) |
| Laajennettu kuvaus: | P-Channel 30V 5.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 5.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat FDFS2P103
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
FDFS2P102A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
IXFH40N85X | IXYS | MOSFET NCH 850V 40A TO247 | tiedustelu |
|
FDFS2P102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
IXTQ36N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 36A TO-3P | tiedustelu |
|
FDFS2P753Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 3A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
IRFR2905ZTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | tiedustelu |
|
FDFS2P103A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC | tiedustelu |
|
FDFS2P106A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC | tiedustelu |
|
FDFS2P753AZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 3A 8-SO | tiedustelu |
 |
RCX450N20 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 45A TO220 | tiedustelu |
 |
IRL2505SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK | tiedustelu |
 |
FQB12P20TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog