FDMS86320
FDMS86320
Osa numero:
FDMS86320
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 10.5A 8-PQFN
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17082 Pieces
Tietolomake:
FDMS86320.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FDMS86320, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FDMS86320 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FDMS86320 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-PQFN (5x6), Power56
Sarja:PowerTrench®
RDS (Max) @ Id, Vgs:11.7 mOhm @ 10.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.5W (Ta), 69W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerTDFN
Muut nimet:FDMS86320-ND
FDMS86320TR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:FDMS86320
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2640pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:41nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 80V 10.5A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):8V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):80V
Kuvaus:MOSFET N-CH 80V 10.5A 8-PQFN
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:10.5A (Ta), 22A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit