FDP6030BL
Osa numero:
FDP6030BL
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 40A TO-220
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15509 Pieces
Tietolomake:
1.FDP6030BL.pdf2.FDP6030BL.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FDP6030BL, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FDP6030BL sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FDP6030BL BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220-3
Sarja:PowerTrench®
RDS (Max) @ Id, Vgs:18 mOhm @ 20A, 10V
Tehonkulutus (Max):60W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Käyttölämpötila:-65°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:FDP6030BL
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1160pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 40A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 40A TO-220
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit