Ostaa FDPC8012S BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
FDPC8012S
- Osa numero:
- FDPC8012S
- Valmistaja:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17387 Pieces
- Tietolomake:
- FDPC8012S.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä FDPC8012S, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FDPC8012S sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| Sarja: | PowerTrench® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 7 mOhm @ 12A, 4.5V |
| Virta - Max: | 800mW, 900mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-PowerWDFN |
| Muut nimet: | FDPC8012S-ND FDPC8012STR Q7602092 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 26 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | FDPC8012S |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1075pF @ 13V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 8nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 13A, 26A 800mW, 900mW Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 25V |
| Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 13A, 26A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat FDPC8012S
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
FDPC8016S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP | tiedustelu |
 |
FDPC8013S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 13A/26A 3.3MM | tiedustelu |
|
FDPC8014S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP | tiedustelu |
 |
FDPC8011S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN | tiedustelu |
 |
DMN2016UTS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP | tiedustelu |
 |
FDPC8014AS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 20A/40A | tiedustelu |
 |
FMM22-06PF | IXYS | MOSFET 2N-CH 600V 12A I4-PAC | tiedustelu |
 |
ALD212904SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC | tiedustelu |
 |
SI4913DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
SIB911DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog