Ostaa FDS4897C BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
FDS4897C
- Osa numero:
- FDS4897C
- Valmistaja:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16467 Pieces
- Tietolomake:
- FDS4897C.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä FDS4897C, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FDS4897C sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | 8-SOIC |
| Sarja: | PowerTrench® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 29 mOhm @ 6.2A, 10V |
| Virta - Max: | 900mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Muut nimet: | FDS4897CTR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | FDS4897C |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 760pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N and P-Channel |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.2A, 4.4A 900mW Surface Mount 8-SOIC |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 40V |
| Kuvaus: | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 6.2A, 4.4A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat FDS4897C
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
APTC60DDAM70T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP3 | tiedustelu |
 |
ALD110814PCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP | tiedustelu |
 |
FDS4897AC | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO | tiedustelu |
 |
VKM60-01P1 | IXYS | MOSFET 4N-CH 100V 75A ECO-PAC2 | tiedustelu |
 |
EM6K31T2R | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6 | tiedustelu |
 |
SI5943DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK | tiedustelu |
 |
VT6J1T2CR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6 | tiedustelu |
 |
BTS7904SAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO220 | tiedustelu |
 |
FDG6304P_D87Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6 | tiedustelu |
|
FDS4895C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC | tiedustelu |
|
FDS4885C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC | tiedustelu |
|
JANTX2N7334 | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog