FDS6673BZ_F085
FDS6673BZ_F085
Osa numero:
FDS6673BZ_F085
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
20469 Pieces
Tietolomake:
FDS6673BZ_F085.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FDS6673BZ_F085, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FDS6673BZ_F085 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FDS6673BZ_F085 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-SO
Sarja:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @ Id, Vgs:7.8 mOhm @ 14.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.5W (Ta)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:FDS6673BZ_F085DKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:6 Weeks
Valmistajan osanumero:FDS6673BZ_F085
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:4700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:124nC @ 10V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 30V 14.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:14.5A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit