FDS6699S
FDS6699S
Osa numero:
FDS6699S
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13086 Pieces
Tietolomake:
FDS6699S.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FDS6699S, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FDS6699S sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FDS6699S BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-SO
Sarja:PowerTrench®, SyncFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:3.6 mOhm @ 21A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.5W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:FDS6699S-ND
FDS6699STR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:FDS6699S
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:3610pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:91nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 21A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:21A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit