FESB16JT-E3/81
FESB16JT-E3/81
Osa numero:
FESB16JT-E3/81
Valmistaja:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12814 Pieces
Tietolomake:
1.FESB16JT-E3/81.pdf2.FESB16JT-E3/81.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FESB16JT-E3/81, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FESB16JT-E3/81 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FESB16JT-E3/81 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:1.5V @ 16A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):600V
Toimittaja Device Package:TO-263AB
Nopeus:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sarja:-
Käänteinen Recovery Time (TRR):50ns
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:FESB16JT-E3/81-ND
FESB16JT-E3/81GITR
Käyttölämpötila - liitäntä:-65°C ~ 150°C
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:30 Weeks
Valmistajan osanumero:FESB16JT-E3/81
Laajennettu kuvaus:Diode Standard 600V 16A Surface Mount TO-263AB
diodi Tyyppi:Standard
Kuvaus:DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:10µA @ 600V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io):16A
Kapasitanssi @ Vr, F:145pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit