Ostaa FJN4309RTA BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 40V |
---|---|
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 1mA, 10mA |
transistori tyyppi: | PNP - Pre-Biased |
Toimittaja Device Package: | TO-92-3 |
Sarja: | - |
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia): | - |
Vastus - Base (R1) (ohmia): | 4.7k |
Virta - Max: | 300mW |
Pakkaus: | Tape & Box (TB) |
Pakkaus / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Muut nimet: | FJN4309RTA-ND FJN4309RTATB |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 6 Weeks |
Valmistajan osanumero: | FJN4309RTA |
Taajuus - Siirtyminen: | 200MHz |
Laajennettu kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92-3 |
Kuvaus: | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 |
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1mA, 5V |
Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA |
Email: | [email protected] |