Ostaa FQA11N90C BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-3P |
| Sarja: | QFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.1 Ohm @ 5.5A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 300W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Muut nimet: | FQA11N90CFS |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | FQA11N90C |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3290pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 80nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 900V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 900V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |