FQB10N50CFTM_WS
FQB10N50CFTM_WS
Osa numero:
FQB10N50CFTM_WS
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14814 Pieces
Tietolomake:
FQB10N50CFTM_WS.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FQB10N50CFTM_WS, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FQB10N50CFTM_WS sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FQB10N50CFTM_WS BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D²PAK (TO-263AB)
Sarja:FRFET®, QFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:610 mOhm @ 5A, 10V
Tehonkulutus (Max):143W (Tc)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:FQB10N50CFTM_WSDKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:9 Weeks
Valmistajan osanumero:FQB10N50CFTM_WS
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2210pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 500V 10A (Tc) 143W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):500V
Kuvaus:MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit